램 국민오버가 혁신적으로 성능을 향상시켜 기존 메모리의 성능을 20%~30% 높일 수 있는 방법을 소개하겠습니다. 우선 C-Die 메모리는 B-Die와 견줄만한 오버클럭 잠재력을 갖고 있어 더욱 흥미로운 선택지가 되며 메모리 오버클럭은 최근 Ryzen CPU 환경에서 두드러지게 성능을 향상시킬 수 있는 필수적인 작업으로 부상하고 있습니다. 램 오버클럭은 램 클럭, 램 타이밍, 인가전압을 조정하여 적용할 수 있으며 이 포스팅에서는 안정적인 램 클럭, 램 타이밍, 인가전압 조합 방법에 대하여 알아보도록 하겠습니다.
기본적으로 램 클럭을 3600 MHz로 설정한 후 램 타이밍과 전압을 조정하며 다음 C-Die 램 (2666 MHz)의 오버클럭을 위한 램 타이밍과 인가 전압 세트를 살펴봅니다.
램 국민오버 오버클럭 영향 요인
노랗 목차
램 국민오버는 컴퓨터의 전반적인 성능을 향상시킬 수 있는 가장 간단하고 비용 효율적인 방법 중 하나로서 오버클럭된 램은 더 빠른 데이터 처리 속도와 응답 시간을 제공하여 애플리케이션 실행과 다중 작업 처리를 더욱 원활하게 만듭니다.
참고 : 그래픽카드 오버클럭 게임 최적화 설정 및 주의사항
이로 인해 게임은 램 속도와 용량에 민감한 애플리케이션 중 하나로서 고사양 게임의 프레임률 향상과 부드러운 그래픽 경험을 얻을 수 있습니다.
램 오버클럭은 CPU의 맴컨트롤러 성능과 메인보드의 램 컨트롤 방식에 영향을 받습니다.
CPU 메모리 컨트롤러
CPU 멤컨은 사용자가 제어하기 어려운 옵션을 가지고 있습니다. 그러나 SOC Voltage를 조정함으로써 멤컨 성능을 높일 수 있습니다. SOC Voltage는 너무 높게 설정하면 발열이나 안정성 문제가 발생할 수 있으므로 1.1V에서 1.15V로 조정하는 것이 좋습니다.
메인보드 타입
메인보드는 Daisy Chain과 T-Topology 두 가지 방식이 있으며, 이 두 가지 중에서 선택하는 것이 중요합니다. 일반적으로 2개의 메모리 오버클럭을 사용할 때는 Daisy Chain 방식을 지원하는 메인보드를 선택하는 것이 좋습니다.
메모리 오버클럭 가이드
메모리 오버클럭은 BIOS에서 여러 옵션을 변경하여 적용할 수 있습니다. BIOS에 진입하기 위해 부팅 시 F8을 누르고 아래 메뉴에서 수동으로 변경해야 합니다.
- Memory Clock: 3600 MHz
- Infinity Fabric: 1800 MHz
- Memory Timing: CL-tRCD-tRD-tRAS
- Memory Voltage: Volt
C-Die 램 오버클럭을 위한 안정화된 램타이밍과 인가 전압 조합을 추천합니다.
- 추천 값 #1: CL-tRCD-tRD-tRAS, Voltage: 16-22-22-46, Voltage 1.39V~1.4V
- 추천 값 #2: CL-tRCD-tRD-tRAS, Voltage: 17-21-21-44, Voltage 1.39V~1.4V (Gear down mode off)
- 추천 값 #3: CL-tRCD-tRD-tRAS, Voltage: 18-21-21-44, Voltage 1.38V~1.39V (18-22-22-44)
램 오버클럭 이후의 성능은 Latency를 통해 측정할 수 있으며, 낮을수록 반응속도가 빨라지므로 더 좋은 성능을 얻을 수 있습니다.
- #1: CL-tRCD-tRD-tRAS, Voltage: 16-21-21-46, Latency: 69.2 ns
- #2: CL-tRCD-tRD-tRAS, Voltage: 17-21-21-44, Latency: 70.2 ns
- #3: CL-tRCD-tRD-tRAS, Voltage: 18-22-22-44, Latency: 70.6 ns
램 타이밍과 인가 전압은 개인별로 시스템에 따라 다를 수 있으므로 실패 시 조정하는 것이 중요합니다.
이상 램 오버클럭은 이제 이전보다 더 쉽게 가능하며, 위의 추천 값들을 적용해도 좋지만 안정성을 보장하기 위해 TM5, HCI Testmem과 같은 프로그램으로 안정화를 검토하는 것이 좋습니다. 램 오버클럭은 난이도가 낮고 성능 향상이 분명하기 때문에 오버클럭에 대한 거부감이 없다면 적용해보는 것을 추천합니다. 이를 통해 기존의 성능을 대폭 향상시킬 수 있습니다.